Китайские исследователи представили новую методику для серийного производства полупроводниковых пластин на основе двумерных материалов, пишет гонконгская газета South China Morning Post (SCMP). В сообщении говорится, что «группа под руководством Ван Цзиньланя из Юго-Восточного университета в Нанкине в сотрудничестве с Ван Синьжанем и Ли Таотао из Нанкинского университета объявила о важном прорыве».
По сведениям SCMP, учёные разработали инновационный способ выращивания кристаллов и получили монокристаллическую пластину MoS2 (дисульфид молибдена — ред.) диаметром 15 сантиметров. Во время процесса кристаллизации исследователи в определённый момент вводили кислород в реакционную среду, что ускоряло рост кристаллов, повышало их электронные характеристики и снижало вероятность появления дефектов.
Газета отмечает, что эта методика создаёт предпосылки для масштабного производства полупроводниковых пластин из двумерных материалов. По данным SCMP, китайские научные коллективы внесли заметный вклад в изучение различных двумерных полупроводников, которые могут служить альтернативой кремнию.